IBM'in 29 Ocak 2007 tarihinde high-k metal kapılı transistörlerle ilgili duyurusundan sonra yeni bir açıklama daha geldi. Şu andaki görünüşe göre IBM ve ortakları 2009 yılının ikinci yarısında 32 nm üretim tekniğine geçmeyi planlıyor. Ortaklar arasında AMD, Chartered, Freescale, Infineon ve Samsung bulunuyor. 32 nm teknikli çalışan silikonlar sergilendi bile. A.B.D. NewYork'ta yer alan araştırma laboratuarının verdiği bilgiye göre yeni teknikle birlikte yonganın enerji tüketimi %45 oranında azalıyor. Böylece yongaların hızında %30 gerçekleşebileceği düşünülüyor. Intel'in high-k metal kapılı transistör uygulamasına cevap olan gelişmenin hayata geçmesi için epey zaman var. Intel'in 45 nm tabanlı işlemciler için kullandığı yöntemde transistör kapısındaki sızıntı 10 kat azaltılıyor. IBM bu yöntemi 32 nm için uygulamak istiyor ve görünüşe göre 32 nm'lik ürünler 2010'da piyasaya sürülecek. Ancak AMD'nin acelesi var ve 45 nm geçişi için benzer bir çalışa yürütmeyi ve 2010'a kadar beklemeden hamle yapmayı arzu ediyor.